產(chǎn)品功能介紹
　　在掃描電鏡中對(duì)樣品加熱在許多材料科學(xué)研究中已經(jīng)成了一項(xiàng)必不可少的手段，使用掃描電鏡原位加熱臺(tái)可以進(jìn)行動(dòng)態(tài)地觀察溫度變化過程中的材料微觀變化及失效分析。如今被廣泛應(yīng)用于金屬材料、液晶檢測(cè)、半導(dǎo)體、高分子材料、流體包裹體、生物工程等眾多領(lǐng)域。Murano 525 原位加熱臺(tái)能夠使我們動(dòng)態(tài)地觀察樣品在加熱過程中的相變、再結(jié)晶、晶粒生長(zhǎng)與氧化現(xiàn)象。

技術(shù)特點(diǎn)：
　　Murano加熱臺(tái)精悍緊湊，能方便地與大多數(shù)掃描電鏡的標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)接口，它包含一個(gè)絕熱接口，適用于二次電子像、電子背散射衍射（EBSD）與聚焦離子束（FIB）加工。能夠?qū)Υ笾?mm x 4.5mm x 1.5mm大小的樣品進(jìn)行快速加熱。獨(dú)特的設(shè)計(jì)使得該加熱臺(tái)可以方便地用于EBSD的幾何配置，同時(shí)保持適當(dāng)?shù)墓ぷ骶嚯x。樣品臺(tái)的溫度范圍涵蓋室溫到 950℃。要進(jìn)行催化、還原或氧化反應(yīng)，可選配一個(gè)毗鄰樣品的毛細(xì)管，進(jìn)行氣體注入。通過毛細(xì)管的外部氣體流量用法蘭上的針閥來控制。水冷底座確保對(duì)SEM的保護(hù)，可更換的熱屏蔽罩允許進(jìn)行常規(guī)成像或EBSD分析，基于軟件的溫度控制器能實(shí)現(xiàn)精確的溫度控制和記錄。積分偏壓能夠甄別二次電子和熱發(fā)射電子，從而提高在高溫下的成像質(zhì)量。

本圖顯示從945°C  到880°C  奧氏體向鐵素體轉(zhuǎn)變的EBSD相分布圖，奧氏體為藍(lán)色（暗），鐵素體為紅色（亮）。測(cè)試僅用了一個(gè)低碳鋼試樣，加熱到945°C，然后以每分鐘1 °C的速度冷卻，直到觀察到相變開始。一旦相變開始，保溫以觀察單個(gè)晶粒中相的變化過程，然后再次冷卻。數(shù)據(jù)由OxfordInstruments的Singh Ubhi博士提供。
Murano  525原位加熱臺(tái)突出技術(shù)優(yōu)勢(shì):
1、能夠?qū)Υ笾翑?shù)毫米的樣品快速地加熱和冷卻 (> 100 °C / 分鐘)
2、緊湊的尺寸允許 EBSD 所需的大角度傾斜，方便裝置的插入和取出
3、可進(jìn)行高溫下局部氣體反應(yīng)的研究
4、溫度精度<±0.5°C，穩(wěn)定性< 1°C /小時(shí)
5、配置水冷模塊，有效保護(hù) SEM 艙室，安全地實(shí)現(xiàn) 950°C 的樣品溫度
6、對(duì)每款SEM而定制，方便安裝/拆卸，在幾分鐘內(nèi)即可把SEM樣品臺(tái)恢復(fù)到正常狀態(tài)
7、新的基于PC的溫度控器，實(shí)現(xiàn)精確控制能夠同步EBSD的面分布與溫度曲線

基于PC的溫度控器

技術(shù)參數(shù)：
1、工作距離：帶屏蔽的工作距離 10mm，無(wú)屏蔽的工作距離 12.5 mm
2、樣品大?。篨 4.5mm，Y 9mm,Z(帶屏蔽)1.5mm, (無(wú)屏蔽)3mm
3、溫度穩(wěn)定度： ±0.5℃
4、控溫精度：±0.5℃
5、溫度范圍：950℃
6、圖像控制系統(tǒng)：DigiScanSEM數(shù)字電子束控制與圖像處理系統(tǒng)
7、保護(hù)措施：帶有熱量屏蔽裝置，對(duì)物鏡和樣品倉(cāng)不產(chǎn)生明顯的熱影響，允許進(jìn)行常規(guī)成像或EBSD分析
8、結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)緊湊，方便安裝和取出，可以方便地用于EBSD的幾何配置，同時(shí)保持適當(dāng)?shù)墓ぷ骶嚯x
9、溫度控制：PID自動(dòng)控制和手動(dòng)控制兩種模式，可存儲(chǔ)所有的加熱參數(shù)，獨(dú)立軟件控制，可以實(shí)現(xiàn)同步EBSD的面分布與溫度曲線

應(yīng)用領(lǐng)域：
EBSD原位分析
金屬材料
石油地質(zhì)巖石礦物
光電材料
化工高分子材料
新能源電池材料
半導(dǎo)體