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2000V/2000A雙脈沖測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)系統(tǒng)

品牌：普賽斯儀表
型號(hào)： PMDT2003
產(chǎn)地：湖北武漢
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：￥1000

武漢普賽斯儀表有限公司更新時(shí)間：2025-05-27 09:06:32

銷售范圍售全國

入駐年限第6年

營業(yè)執(zhí)照已審核

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2000V/2000A雙脈沖測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)系統(tǒng) 核心參數(shù): 產(chǎn)品特點(diǎn); 是一款專用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗，評(píng)估器件的安全工作區(qū)，對(duì)器件和驅(qū)動(dòng)電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證，測(cè)量功率組件的雜散電感。; 詳細(xì)介紹; 系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓達(dá)2000V（蕞大擴(kuò)展至8kV）
大電流達(dá)2000A（可擴(kuò)展至6000A）
低寄生電感設(shè)計(jì)：＜20nH寄生電感
安全防護(hù)機(jī)制：集成防爆、過流/過壓保護(hù)
全功能測(cè)試覆蓋：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數(shù)
自動(dòng)化與智能化，負(fù)載電感自動(dòng)切換
溫度范圍廣：可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)
兼容多種封裝，可根據(jù)測(cè)試需求定制夾具
測(cè)試參數(shù)
開通特性：開通延時(shí)時(shí)間td(on)、開通上升時(shí)間tr、開通時(shí)間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t
關(guān)斷特性：關(guān)斷延時(shí)時(shí)間td(off)、關(guān)斷上升時(shí)間tf、關(guān)斷時(shí)間toff、關(guān)斷能量損耗E(off)、關(guān)斷電壓斜率dv/dt、關(guān)斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t
反向恢復(fù)特性：反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err、蕞大反向恢復(fù)電流Irrm、反向恢復(fù)電壓斜率dv/dt、反向恢復(fù)電流斜率di/dt、反向恢復(fù)電流特性Id vs.t
短路特性：短路時(shí)間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc
柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t
反偏安全工作區(qū)：關(guān)斷電壓尖峰VCE—peak、關(guān)斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類型的功率半導(dǎo)體，如IGBT、SiC、MOS等產(chǎn)品，普賽斯提供整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試

柵極正向電壓	0~30V	柵極負(fù)向電壓	-20~0V（正負(fù)壓差不超過30V）
柵極最大電流	10A	漏極/集電極最大電壓	2000V
漏極/集電極最大電流	2000A（DPT），短路電流12kA

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2000V/2000A雙脈沖測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)系統(tǒng)

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