等離子源

• 配有一13.5MHz,100W的射頻電源（采用手動(dòng)匹配）

• 可選配300W射頻電源（自動(dòng)匹配）

• 注意：100W手動(dòng)調(diào)節(jié)的RF（射頻）電源價(jià)格較低，但是每一次對(duì)于不同的靶材，都需要手動(dòng)設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體，比較耗費(fèi)時(shí)間。300W自動(dòng)匹配的RF（射頻）電源，價(jià)格較昂貴，但比較節(jié)約時(shí)間（點(diǎn)擊圖片查看詳細(xì)資料）
  

磁控濺射頭

• 三個(gè)1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接

• 靶材尺寸:直徑為25.4mm,最大厚度3mm

• 一個(gè)快速擋板安裝在法蘭上

• 濺射頭所需冷卻水：流速10L/min（儀器中配有一臺(tái)流速為16L/min的循環(huán)水冷機(jī)）
  

真空腔體

• 真空腔體：256mmODx250mmIDx276mmH，采用高純石英制作

• 密封法蘭:直徑為274mm.采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封

• 一個(gè)不銹鋼網(wǎng)罩住整個(gè)石英腔體，以屏蔽等離子體（如下圖）

• 真空度：<1.0×10-2Torr（采用雙極旋片真空泵）,<5×10-5torr（采渦旋分子泵）
  

載樣臺(tái)

• 載樣臺(tái)可旋轉(zhuǎn)（為了制膜更加均勻）并可加熱

• 載樣臺(tái)尺寸：直徑50mm（最大可放置2英寸的基片）

• 旋轉(zhuǎn)速度：0-20rpm

• 樣品臺(tái)的最高加熱溫度為700℃(短期使用，恒溫不超過1小時(shí))，長(zhǎng)期使用溫度500℃

• 控溫精度+/-10℃

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真空泵

• 我公司有多種真空泵可選，請(qǐng)點(diǎn)擊圖片，或是致電我公司銷售

薄膜測(cè)厚儀（可選）      

• 一個(gè)精密的石英振動(dòng)薄膜測(cè)厚儀安裝在儀器上，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜的厚度，分辨率為0.10?

• LED顯示屏顯示，同時(shí)也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)
  

質(zhì)保和質(zhì)量認(rèn)證

• 一年質(zhì)保期，終生維護(hù)

• CE認(rèn)證

外形尺寸

使用注意事項(xiàng)

• 這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度

• 為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95%N2對(duì)真空腔體清洗2-3次，可有效減少真空腔體中的氧含量

• 請(qǐng)用純度大于5N的Ar來進(jìn)行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10-100ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后，再導(dǎo)入到真空腔體內(nèi)

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