SiC/GaN器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

規(guī)格環(huán)境

A.  環(huán)境溫度：    25±10℃，

B． 相對濕度：   濕度不大于65%

C.  大氣壓力：    86Kpa～ 106Kpa

D.  工作電壓：三相五線制AC 380V±10%，或者單相三線制AC 220V±10%

E． 電網(wǎng)頻率：    50Hz±1Hz

F.  壓縮空氣：   0.4～0.6Mpa

G.  防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；功能簡介

此設(shè)備具有以下測試單元。注：開關(guān)時間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。

開關(guān)時間測試單元

開啟延遲時間（Td(on)）     上升時間（Tr）

關(guān)斷延遲時間（Td(off)）    下降時間（Tf）

開啟損耗Eon              關(guān)斷損耗Eoff

二極管反向恢復(fù)測試單元

反向恢復(fù)時間（Trr）       反向恢復(fù)電荷（Qrr）

柵極電荷測試單元

閾值電荷（Qg（th））      柵電荷（Qg）

靜態(tài)全參數(shù)測試單元

RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

雪崩測試單元

雪崩電流（I），雪崩電壓(V)，雪崩能量(E)

測量的MOSFET動態(tài)參數(shù)

測量的DIODE動態(tài)參數(shù)