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基于數(shù)字源表的納米材料高溫原位表征及測試方案

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產(chǎn)品特點(diǎn)

武漢普賽斯是國內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過了市場的考驗(yàn),市場應(yīng)用率高;SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,直流更大、精度更高、準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達(dá)30A,蕞大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測試方案,基于數(shù)字源表的納米材料高溫原位表征及測試方案就找普賽斯儀表

詳細(xì)介紹

通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構(gòu)建精細(xì)熱場自動(dòng)調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構(gòu)建精細(xì)熱場自動(dòng)調(diào)控及反饋測量系統(tǒng),并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息。

納米高溫原位表征1.png

測試面臨的挑戰(zhàn):

傳統(tǒng)的二線制電阻測量方式容易引入附加誤差,降低MEMS芯片控溫的晶準(zhǔn)度。材料測試所能承受的電流超小,低至nA甚至pA,測試設(shè)備需要具備小電流的測量能力。

傳統(tǒng)方法VS四線法.png


普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準(zhǔn)熱場控制及電性能測量:
標(biāo)配四線制測量端口;
提供多個(gè)電流量程,量程越低,精度越高;
蕞低1pA電流分辨率,源測精度高達(dá)0.03%。基于數(shù)字源表的納米材料高溫原位表征及測試方案認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢,

連接圖.png

 

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!



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