普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對單管igbt測試設備參數(shù)分析儀感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！

產(chǎn)品特點：

30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高,全量程下可達0.03%精度；

內(nèi)置標準器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便；

自動實時參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；

技術規(guī)格

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導體材料/器件；

有機OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

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