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半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀

品牌：普賽斯儀表
型號：武漢普賽斯
產(chǎn)地：湖北武漢
供應(yīng)商報價：￥1000

武漢普賽斯儀表有限公司更新時間：2025-05-30 08:58:25

銷售范圍售全國

入駐年限第6年

營業(yè)執(zhí)照已審核

同類產(chǎn)品CV測試系統(tǒng)(5件)

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產(chǎn)品特點

普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀認準普賽斯儀表

詳細介紹

半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀概述

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于半導(dǎo)體參數(shù)測試方面，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

系統(tǒng)方案

普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。

CV測試系統(tǒng).jpg

進行 C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。

系統(tǒng)優(yōu)勢

頻率范圍寬

：

頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調(diào)；

高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

內(nèi)置CV測試：內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;

兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控；

擴展性強：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，可根據(jù)需求靈活搭配；

基本參數(shù)

LCR
測試頻率	10Hz-1MHz
頻率輸出精確度	±0.01%
基本準確度	±0.05%
AC測試信號準位	10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)
DC測試信號準位	10mV至2V (1m Vrms 解析度)
輸出阻抗	100Ω
量測范圍	\|Z\|, R, X	0.001mΩ–99.999MΩ			\|Y\|, G, B	0.1nS–99.999S
	Cs、Cp	0.01pF – 9.9999F			Ls Lp	0.1nH–9.999kH
	D	0.00001-9.9999			Q	0.1-9999.9
	DCR	0.001mΩ–9.999MΩ			Δ%	-9999%-999%
	θ	-180° -+180°
SMU
VGS范圍	0 - ±30V(選配)
IGSS/IGES	≥10pA(選配)
VDS范圍	0 - ±300V		0 - ±1200V	0 - ±2200V			0 - ±3500V
IDSS/ICES	≥10pA		≥1nA
源測精度	0.03%		0.1%
功能
測試方式	點測、圖形掃描
測試參數(shù)	DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES
接口	RS232、LAN
編程協(xié)議	SCPI、LabView

軟件界面及功能

CV測試界面

CV測試曲線圖.jpg

CV曲線圖

半導(dǎo)體參數(shù)CV測試儀典型配置

源表	VGS/VGE	選配，S100/P100
	VDS/VCE	標配S300，可選P300/E100/E200/E300
LCR表	標配10Hz~1MHz頻率，可選5MHz/10MHz
矩陣開關(guān)
上位機軟件
其他	三同軸電纜、LAN線