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IGBT耐壓測試高壓電源

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產(chǎn)品特點(diǎn)

IGBT耐壓測試高壓電源具有輸出及測量電壓高(3500V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3500V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

詳細(xì)介紹

IGBT耐壓測試高壓電源特點(diǎn)和優(yōu)勢:


十ms級的上升沿和下降沿;


單臺Z大3500V的輸出;


0.1%測試精度;


同步電流或電壓測量;


支持程控恒壓測流,恒流測壓,便于掃描測試;

未命名_副本.jpg

參數(shù)1.jpg

參數(shù)2.jpg

應(yīng)用領(lǐng)域:


用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

訂貨信息.jpg

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!

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